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J-GLOBAL ID：200903076432907343

半導体素子の製造方法

Inventor： 赤堀 孝 ,  遠藤 俊一 ,  石塚 修一 ,  平田 匡史 ,  青木 武志
Applicant, Patent owner： 東京エレクトロン株式会社
Agent (1)： 井上 俊夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996320912
Publication number (International publication number)：1998144676
Application date： Nov. 14, 1996
Publication date： May. 29, 1998
Summary：

【要約】【課題】 フッ素添加カーボン膜(以下「CF膜」という)を用いた層間絶縁膜の実用化を図るためにCF膜の工程を可能にすること。【解決手段】 CF膜4の上に導電膜例えばTiN膜41を形成し、その上にレジスト膜42のパターンを形成した後、例えばBCl3 ガスによりTiN膜41をエッチングする。その後O2 プラズマをウエハ表面に照射すると、CF膜を化学エッチングすると共にレジスト膜42もエッチングするが、TiN膜41がマスクの役割を果たすため、予定のホールを形成することができる。CF膜4の表面にはアルミニウムなどによって配線が形成されるが、TiN膜41は配線とCF膜4との密着層の役割を果たし、また配線の一部となる。マスクとしては導電膜の代りにSiO2 などの絶縁膜を用いてもよい。

Claim (excerpt)：

フッソ添加カ-ボン膜よりなる絶縁膜を被処理体上に成膜する工程と、次いで前記絶縁膜上にレジスト膜によりパターンを形成する工程と、その後酸素プラズマによりフッソ添加カ-ボン膜をエッチングしながらレジスト膜を除去する工程と、を含むことを特徴とする半導体素子の製造方法。

IPC (4)：

H01L 21/314 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/768

FI (4)：

H01L 21/314 A ,  H01L 21/31 C ,  H01L 21/302 H ,  H01L 21/90 K

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• フッ素化非晶質炭素膜材料およびその製造方法および半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-035023   Applicant：日本電気株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-049765   Applicant：日本電気株式会社