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J-GLOBAL ID：200903039041236131

磁気記憶装置及びその動作方法

Inventor： 芦田 裕 ,  佐藤 雅重 ,  梅原 慎二郎 ,  落合 隆夫 ,  小林 和雄
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (4)： 眞鍋 潔 ,  柏谷 昭司 ,  渡邊 弘一 ,  伊藤 壽郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006089272
Publication number (International publication number)：2007266301
Application date： Mar. 28, 2006
Publication date： Oct. 11, 2007
Summary：

【課題】磁気記憶装置及びその動作方法に関し、スピン注入磁化反転方式MRAM(STS-MRAM)で大容量(Gbit超)MRAMを得る為、臨界電流密度JC の低減、出力電圧の向上及び誤動作防止の両立を実現しようとする。【解決手段】1層以上の強磁性層と非磁性層で構成された磁化自由層4C及び積層フェリピン構造の磁化固定層4Aの間にGMR型の場合は非磁性金属層4Bが介在し且つ磁化自由層4C近傍に発熱層4Eが設けられてなる磁気抵抗効果素子を備えて動作させることが基本になっている。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

1層以上の強磁性層と非磁性層で構成された磁化自由層及び積層フェリピン構造の磁化固定層の間に絶縁層が介在し且つ磁化自由層近傍に発熱層が設けられてなる磁気抵抗効果素子 を備えてなることを特徴とする磁気記憶装置。

IPC (4)：

H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  H01L 43/08 ,  G11C 11/15

FI (3)：

H01L27/10 447 ,  H01L43/08 Z ,  G11C11/15 110

F-Term (36)：

4M119AA03 ,  4M119BB01 ,  4M119BB03 ,  4M119CC05 ,  4M119CC06 ,  4M119DD06 ,  4M119DD09 ,  4M119DD33 ,  4M119DD45 ,  4M119DD55 ,  4M119EE22 ,  4M119EE27 ,  4M119FF04 ,  4M119FF05 ,  4M119FF15 ,  4M119FF17 ,  5F092AA15 ,  5F092AB08 ,  5F092AC08 ,  5F092AC12 ,  5F092AD25 ,  5F092BB17 ,  5F092BB22 ,  5F092BB23 ,  5F092BB30 ,  5F092BB34 ,  5F092BB35 ,  5F092BB36 ,  5F092BB42 ,  5F092BB43 ,  5F092BB53 ,  5F092BB55 ,  5F092BB82 ,  5F092BC04 ,  5F092BC07 ,  5F092BC50

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• 複数の接合部を有する安定した磁気トンネル・デバイス
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-026291   Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
• 無線局
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-324230   Applicant：シャープ株式会社
• 磁気メモリデバイス
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-084554   Applicant：名古屋大学長, 三洋電機株式会社