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J-GLOBAL ID：200903030281570830

磁気メモリデバイス

Inventor： 綱島 滋 ,  岩田 聡 ,  加藤 剛志 ,  ▼高▲木 直之 ,  田沼 俊雄 ,  鷲見 聡
Applicant, Patent owner： 名古屋大学長 ,  三洋電機株式会社
Agent (1)： 目次 誠
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999084554
Publication number (International publication number)：2000285668
Application date： Mar. 26, 1999
Publication date： Oct. 13, 2000
Summary：

【要約】【課題】 小さな動作磁界で、かつ隣接セルへの影響を低減させて情報の記録再生を行うことができる磁気メモリデバイスを得る。【解決手段】 マトリックス状に配列された磁気メモリ素子1と、情報の記録再生のため磁気メモリ素子1に磁界を印加する磁界印加手段2と、選択した磁気メモリ素子1に対してのみ磁界印加手段2からの磁界によって動作可能となるように該磁気メモリ素子1を加熱する素子加熱手段3とを備えることを特徴としている。

Claim (excerpt)：

マトリックス状に配列された磁気メモリ素子と、情報の記録再生のため前記磁気メモリ素子に磁界を印加する磁界印加手段と、前記磁気メモリ素子のうち、選択した磁気メモリ素子に対してのみ前記磁界印加手段からの磁界によって動作可能となるように該磁気メモリ素子を加熱する素子加熱手段とを備える磁気メモリデバイス。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 磁性メモリ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-027019   Applicant：株式会社日立製作所
• 磁性メモリ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-026186   Applicant：株式会社日立製作所
• 特開昭50-002832
  
• 特開平4-023293
  
• 磁気不揮発性ランダム・アクセス・メモリ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-050311   Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション