シリコン半導体基板及びその製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：八田幹雄 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000080222
Publication number (International publication number)：2000344598
Application date： Mar. 22, 2000
Publication date： Dec. 12, 2000
Summary：

【要約】【課題】デバイス作成領域となる基板表面部に高品質かつ十分な深さの無欠陥層を有する一方で、ゲッタリング能力に優れたシリコン半導体基板、およびその製造方法を提供する。【解決手段】シリコン半導体基板中の窒素含有量が5×1013atoms/cm3以上2×1016atoms/cm3以下であり、炭素含有量が1×1016atoms/cm3以上1×1018atoms/cm3以下であるチョクラルスキー法により育成したシリコン単結晶から得たシリコン半導体基板であって、少なくとも基板表面から深さ1μmまでの領域において、直径換算で0.1μm以上の結晶欠陥の密度が104個/cm3以下であり、基板の厚み中心において、直径換算で0.1μm以上の結晶欠陥の密度が5×109個/cm3以上であることを特徴とするシリコン半導体基板。

Claim (excerpt)：

シリコン半導体基板中の窒素含有量が1×1013atoms/cm3以上2×1016atoms/cm3以下であり、炭素含有量が1×1016atoms/cm3以上1×1018atoms/cm3以下であるチョクラルスキー法により育成したシリコン単結晶から得たシリコン半導体基板であって、少なくとも基板表面から深さ1μmまでの領域において、直径換算で0.1μm以上の結晶欠陥の密度が104個/cm3以下であり、基板の厚み中心において、直径換算で0.1μm以上の結晶欠陥の密度が5×109個/cm3以上であることを特徴とするシリコン半導体基板。

IPC (4)：

C30B 29/06 , C30B 29/06 502 , H01L 21/205 , H01L 21/322

FI (4)：

C30B 29/06 A , C30B 29/06 502 J , H01L 21/205 , H01L 21/322 Y

F-Term (20)：

4G077AA02 , 4G077AA03 , 4G077AB01 , 4G077BA04 , 4G077DB01 , 4G077ED04 , 4G077ED06 , 4G077EH09 , 4G077FE11 , 4G077GA02 , 4G077HA12 , 4G077TK01 , 5F045AB02 , 5F045AC01 , 5F045AC05 , 5F045AD15 , 5F045AF03 , 5F045AF16 , 5F045BB12 , 5F045EB13

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

特開昭60-251190
特開昭60-251190
特開平1-242493

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