CMOS型固体撮像装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小池隆彌
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998111222
Publication number (International publication number)：1999307753
Application date： Apr. 22, 1998
Publication date： Nov. 05, 1999
Summary：

【要約】【課題】 CMOS型固体撮像装置において、フォトダイオード部の感度、解像度、フレア、暗電流を大幅に改善する構造を提供する。【解決手段】 p基板100の表面に、複数の画素と、pウェル110及びnウェル120、更に、pウェル110上に形成されたn型MOSトランジスタ及びnウェル120上に形成されたp型MOSトランジスタが形成されたツインウェル型CMOS構造を有し、各画素は、n+層130から成るフォトダイオードとn型MOSトランジスタを有し、該n型MOSトランジスタの下側には前記pウェル110を形成すると共に、フォトダイオードの下側には、pウェルを形成せず、前記nウェル120を形成している。

Claim (excerpt)：

第1導電型の半導体基板表面に、複数の画素と、第1導電型の第1の層及び第2導電型の第2の層、更に、前記第1の層上に形成された第2導電型の第1MOSトランジスタ及び前記第2の層上に形成された第1導電型の第2MOSトランジスタが形成されたツインウェル型CMOS構造を有し、前記各画素は第2導電型の第3の層からなるフォトダイオードと第2導電型の第3MOSトランジスタを有し、前記第3MOSトランジスタの下側には、前記第1の層が形成されると共に、前記フォトダイオードの下側には、前記第1の層が形成されないこと、を特徴とするCMOS型固体撮像装置。

IPC (3)：

H01L 27/146 , H01L 31/10 , H04N 5/335

FI (3)：

H01L 27/14 A , H04N 5/335 U , H01L 31/10 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

特開平1-243462
特開昭57-075073
特開昭60-021566

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