光電変換装置と半導体集積回路

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：山下穣平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996007328
Publication number (International publication number)：1997199703
Application date： Jan. 19, 1996
Publication date： Jul. 31, 1997
Summary：

【要約】【課題】光電変換電荷の読み出しに悪影響を与えるMOSトランジスタの閾値Vthのバラツキ、増幅ゲインの低下、電源電圧VDDの変動等の基板バイアス効果を低減することを課題とする。【解決手段】画素電荷読み出し用にアンプ用MOSトランジスタを設け、又は反転アンプのMOSトランジスタと当該MOSトランジスタの負荷用MOSトランジスタを備えた光電変換装置において、アンプ用又は前記負荷用MOSトランジスタのウェル濃度を他の周辺回路のウェル濃度よりも低くしたことを特徴とする。更にp/n型基板上に、フォトゲートと、転送用n/p型MOSトランジスタと、ソースホロワ型のアンプ用n/p型MOSトランジスタ等を各画素に備えた半導体集積回路において、前記アンプ用MOSトランジスタのウェル濃度を周辺回路のウェル濃度よりも小さくしたことを特徴とする。

Claim (excerpt)：

画素電荷読み出し用にアンプ用MOSトランジスタを備えたCMOSプロセスコンパチブルセンサの光電変換装置において、前記アンプ用MOSトランジスタのウェル濃度を他の周辺回路のウェル濃度よりも低くしたことを特徴とする光電変換装置。

IPC (2)：

H01L 27/146 , H01L 31/10

FI (2)：

H01L 27/14 A , H01L 31/10 A

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (8)

固体撮像装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-309056 Applicant：株式会社東芝
特開昭58-105564
固体撮像素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-036922 Applicant：オリンパス光学工業株式会社

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Cited by examiner (4)

固体撮像装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-309056 Applicant：株式会社東芝
特開昭58-105564
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