Pat
J-GLOBAL ID：200903039104979067
セルフバイアス・プラズマコーティング法
Inventor：
,
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
小林 良平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993228237
Publication number (International publication number)：1995058103
Application date： Aug. 19, 1993
Publication date： Mar. 03, 1995
Summary：
【要約】【目的】 被コーティング物を加熱することなく窒化シリコン及び酸化シリコンをコーティングすることのできる方法を提供する。【構成】 反応室11内で上部電極12及び下部電極13を略平行に設け、上部電極12を接地し、下部電極13に整合回路14を介して高周波電源15を接続する。反応室11内にモノシランを含む原料ガスを導入し、下部電極13の近傍に被コーティング物21を配置して、下部電極13を加熱することなく下部電極13より高周波電力を投入する。
Claim (excerpt)：
a)反応室内で上部電極及び下部電極を略平行に設け、b)上部電極を接地し、下部電極に整合回路を介して高周波電源を接続し、c)反応室内にモノシランを含む原料ガスを導入し、d)下部電極の近傍に被コーティング物を配置し、e)下部電極を加熱することなく下部電極より高周波電力を投入することにより、被コーティング物の表面に窒化シリコン又は酸化シリコンの皮膜を形成するセルフバイアス・プラズマコーティング法。
IPC (5)：
H01L 21/318
, C23C 16/50
, C23C 16/54
, H01L 21/31
, H01L 21/316
Cited by examiner (7)
Show all
Return to Previous Page
