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J-GLOBAL ID：200903039118995561

光磁気記録方法

Inventor： 西村 直樹
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 丸島 儀一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993188400
Publication number (International publication number)：1994124499
Application date： Jul. 29, 1993
Publication date： May. 06, 1994
Summary：

【要約】【目的】 従来の光学系を用いて記録と同時に記録の確認が行なえる光磁気記録方法の提供。【構成】 室温において、面内磁化膜であると共にキュリー温度の高い第一の磁性層と、室温において垂直磁化膜であると共に第一の磁性層に比べてキュリー温度の低い第二の磁性層とを有してなる光磁気記録媒体を用いて、記録時に、前記第一の磁性層をレーザー光で昇温することにより垂直磁化膜とし前記第二の磁性層と交換結合させると共に所定方向の磁界を印加して情報の記録を行なうと同時に、前記レーザ光の反射光を用いて記録の確認を行う。

Claim (excerpt)：

室温において面内磁化膜であると共にキュリー温度の高い第一の磁性層と、室温において垂直磁化膜であると共に第一の磁性層に比べてキュリー温度の低い第二の磁性層とを有してなる光磁気記録媒体を用いて、記録時に、前記第一の磁性層をレーザー光で昇温することにより垂直磁化膜とし前記第二の磁性層と交換結合させると共に所定方向の磁界を印加して情報の記録を行なうと同時に、前記レーザ光の反射光を用いて記録の確認を行うことを特徴とする光磁気記録方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 光磁気デイスクの記録状態確認方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-276524   Applicant：ソニー株式会社