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J-GLOBAL ID:200903039133384269
液晶表示素子の製造方法
Inventor:
,
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
西教 圭一郎
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1998367587
Publication number (International publication number):2000187233
Application date: Dec. 24, 1998
Publication date: Jul. 04, 2000
Summary:
【要約】【課題】 少ない工程数でかつ低い製造コストで、アルカリ性現像液による電食反応の発生を抑制して透明電極から成る接続端子とAl合金から成る反射電極を形成して良好な反射特性を得る。【解決手段】 液晶表示素子は、一対の基板部材24a,25の間に液晶層26を介在する。一方基板部材24aは、絶縁性基板1の上に、たとえばITO、ZnO、SnO2およびIn2O3-ZnOで実現される透明電極膜から成る接続端子16,17を形成する工程、端子16,17を覆ってW含有量が1〜10at%のAl-W合金膜を30〜150nmの膜厚で形成する工程、該合金膜上にポジ型レジスト膜を形成する工程、レジスト膜を所定パターンに露光する工程、露光部分のレジスト膜とその部分の合金膜とをアルカリ性現像液(TMAH)で除去して反射電極23を形成する工程および残余のレジスト膜を除去する工程で製造される。
Claim (excerpt):
一対の基板部材の間に液晶層を介在する液晶表示素子の製造方法であって、一対の基板部材のうちのいずれか一方基板部材は、絶縁性基板上に、反射電極と、液晶表示素子の駆動手段用の接続端子とを少なくとも備える液晶表示素子の製造方法において、一方基板部材の製造工程は、a)絶縁性基板上に、透明電極膜から成る接続端子を形成する工程と、b)接続端子を覆ってAl(アルミニウム)-W(タングステン)合金膜を形成する工程と、c)Al-W合金膜上にポジ型レジスト膜を形成する工程と、d)レジスト膜を所定のパターンに露光する工程と、e)レジスト膜とAl-W合金膜とをアルカリ性現像液でパターニングすることでAl-W合金膜から成る反射電極を形成する工程と、f)残余のレジスト膜を除去する工程と、を含むことを特徴とする液晶表示素子の製造方法。
IPC (3):
G02F 1/1343
, G02F 1/136 500
, H01L 29/786
FI (3):
G02F 1/1343
, G02F 1/136 500
, H01L 29/78 612 C
F-Term (73):
2H092JA26
, 2H092JA29
, 2H092JA38
, 2H092JA42
, 2H092JA44
, 2H092JB13
, 2H092JB23
, 2H092JB32
, 2H092JB33
, 2H092JB38
, 2H092JB51
, 2H092JB56
, 2H092JB63
, 2H092JB69
, 2H092KA05
, 2H092KA07
, 2H092KA16
, 2H092KA18
, 2H092KB14
, 2H092KB23
, 2H092KB24
, 2H092MA05
, 2H092MA08
, 2H092MA14
, 2H092MA15
, 2H092MA16
, 2H092MA18
, 2H092MA19
, 2H092MA20
, 2H092MA27
, 2H092MA35
, 2H092MA37
, 2H092MA41
, 2H092NA01
, 2H092NA25
, 2H092NA27
, 2H092NA28
, 2H092PA12
, 2H092QA07
, 5F110BB01
, 5F110CC07
, 5F110DD02
, 5F110DD12
, 5F110DD13
, 5F110EE03
, 5F110EE04
, 5F110EE23
, 5F110EE44
, 5F110FF03
, 5F110FF30
, 5F110GG02
, 5F110GG04
, 5F110GG15
, 5F110GG24
, 5F110GG45
, 5F110HK03
, 5F110HK04
, 5F110HK09
, 5F110HK15
, 5F110HK25
, 5F110HK33
, 5F110HK35
, 5F110NN03
, 5F110NN24
, 5F110NN27
, 5F110NN35
, 5F110NN44
, 5F110NN46
, 5F110NN47
, 5F110NN54
, 5F110NN73
, 5F110QQ01
, 5F110QQ09
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (7)
-
反射型液晶表示装置の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-056959
Applicant:富士通株式会社
-
液晶表示装置及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-056579
Applicant:シャープ株式会社
-
液晶表示装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-177846
Applicant:シチズン時計株式会社
-
半導体装置およびその製造方法および加工方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-211238
Applicant:松下電器産業株式会社
-
アルミ系金属膜のパターニング方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-176101
Applicant:カシオ計算機株式会社
-
液晶表示装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-116899
Applicant:カシオ計算機株式会社
-
液晶表示装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-127567
Applicant:カシオ計算機株式会社
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