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J-GLOBAL ID：200903039141306188

浮遊帯域溶融装置

Inventor：
進藤 勇

About 進藤 勇


Applicant, Patent owner：
株式会社クリスタルシステム

About 株式会社クリスタルシステム


Agent (1)： 西澤 利夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996243736
Publication number (International publication number)：1997235171
Application date： Sep. 13, 1996
Publication date： Sep. 09, 1997
Summary：
【要約】【課題】 安定した溶融域を容易に形成し、口径の大きい単結晶も容易に育成する。単結晶の特性も良質とする。【解決手段】 内面を反射面として直交軸上に対向配置した四個の回転楕円面反射鏡(2)の一方の焦点にハロゲンランプ(1)を設け、他方の焦点上で反射面から反射した赤外線を集光させることによって加熱する赤外線集中加熱式の浮遊帯域溶融装置であって、離芯率を0.4〜0.65とし、ハロゲンランプ(1)として、フィラメントの形状が板状でかつ正方形に近い形状を有するハロゲンランプを使用する。
Claim (excerpt)：
内面を反射面として直交軸上に対向配置した四個の回転楕円面反射鏡の対向する一方の焦点に赤外線ランプを設け、他方の焦点上で反射面から反射した赤外線を集光させることによって加熱する赤外線集中加熱式の浮遊帯域溶融装置であって、次式【数1】で定義される回転楕円面反射鏡の離芯率が0.4〜0.65であることを特徴とする浮遊帯域溶融装置。
IPC (3)：
C30B 13/16 ,  C30B 13/28 ,  H01K 1/18
FI (3)：
C30B 13/16 ,  C30B 13/28 ,  H01K 1/18 B
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
  • 浮遊帯域溶融装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-009469   Applicant：株式会社ケイイーディー
  • 特開昭57-095890
  • 特開昭62-021788
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