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J-GLOBAL ID：200903039174220432
シリコン薄膜の形成方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
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Agent (1)：
上柳 雅誉 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000402809
Publication number (International publication number)：2002203794
Application date： Dec. 28, 2000
Publication date： Jul. 19, 2002
Summary：
【要約】【課題】薄膜形成後のパターニング工程が不要な、CVD法によるシリコン薄膜形成方法を提供する。【解決手段】第1基板8の液体配置面81と第2基板7の薄膜形成面71に、(トリデカフルオロ-1,1,2,2-テトラヒドロ)オクチル-トリエトキシランを用いて、単分子膜からなるパターン30a,30bを形成する。第1基板8の単分子膜パターン30aの開口部31に、シクロシラン溶液からなる液滴5を配置する。両基板7,8を所定間隔を開けて平行に配置し、開口部31同士の位置を合わせる。両基板7,8の間に窒素ガスを流しながら、第2基板7を450°Cに加熱して10分間保持する。これにより、液滴5が気化して第2基板7の開口部31内に供給されて、シリコン薄膜50が形成される。
Claim (excerpt)：
基板上の一部分または複数部分に、珪素と水素とで構成される環状シランおよび/またはその誘導体からなる珪素化合物を含む液体を配置し、この液体から珪素化合物を気化させて薄膜形成面に供給し、化学気相成長法でシリコン薄膜を形成することを特徴とするシリコン薄膜の形成方法。
IPC (3)：
H01L 21/205
, C23C 16/24
, C23C 16/448
H01L 21/205
, C23C 16/24
, C23C 16/448
4K030AA06
, 4K030BA29
, 4K030CA06
, 4K030DA03
, 4K030FA10
, 4K030LA15
, 5F045AA03
, 5F045AB02
, 5F045AC01
, 5F045AD08
, 5F045AF07
, 5F045BB10
