熱処理装置

Inventor： ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：井上一 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993294283
Publication number (International publication number)：1995130673
Application date： Oct. 29, 1993
Publication date： May. 19, 1995
Summary：

【要約】【目的】重金属汚染を起こすことなく面内均一性を確保することのできる熱処理装置を提供することにある。【構成】反応炉12内に上記プロセスガスを供給する供給路30中に、上記プロセスガスを励起するプラズマ発生機構50を配置し、このプラズマ発生機構50は、上記供給路30内部にて高純度材料からなる電極部材56を層状に配列したプラズマ発生機構で構成されていることを特徴としている。このため、層状に電極部材56が配列されていることでプロセスガスが電極部材間に導入され、ガス分解を比較的短時間に行えることになる。しかも、プロセスガスの供給通路内にプラズマ生成のための機構が設けられているので、熱損失を生じることがない。

Claim (excerpt)：

反応炉内に複数配列された被処理体を加熱しながらプロセスガスを供給する構造を備えた熱処理装置において、上記反応炉内に上記プロセスガスを供給する供給路中であって、上記供給路内部にて電源側及び接地側とに交互に接続されている高純度材料からなる電極部材を離間させて配列したプラズマ発生機構を設けたことを特徴とする熱処理装置。

IPC (5)：

H01L 21/22 511 , H01L 21/22 , H01L 21/205 , H01L 21/31 , H01L 21/324

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

特開昭58-165329
プラズマCVD装置のサセプタに使用されるウエハ保持ピン
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-255226 Applicant：イビデン株式会社
特開昭62-165320

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