速い成長速度で製造される単結晶CVDダイヤモンドに基づく新たなダイヤモンドの利用/用途

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (4)：小林浩 , 片山英二 , 大森規雄 , 鈴木康仁
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2008541326
Publication number (International publication number)：2009519193
Application date： Nov. 15, 2006
Publication date： May. 14, 2009
Summary：

本発明は、速い成長速度で製造される無色の単結晶ダイヤモンドの新たな利用および用途を対象とする。本発明はまた、速い成長速度で様々な色の単結晶ダイヤモンドを製造する方法、ならびにこのような着色した単結晶ダイヤモンドの新たな利用および用途も対象とする。

Claim (excerpt)：

単結晶ダイヤモンドを含むノズルであって、前記単結晶ダイヤモンドが以下を含む方法によって製造される、ノズル。 i)成長ダイヤモンド結晶の温度が900〜1400°Cの範囲内にあるように、また高融点および高熱伝導率を有する材料で作製されたヒートシンクホルダ内にダイヤモンドを取り付けて、前記ダイヤモンドの成長表面の温度勾配を最小限に抑えるように、前記ダイヤモンドの前記成長表面の温度を制御すること、および ii)単位H2当たり約8%から約30%を超えるCH4を含み150torrを超える雰囲気を有する蒸着チャンバ内で、ダイヤモンドの前記成長表面上にマイクロ波プラズマ化学気相成長によって単結晶ダイヤモンドを成長させること

IPC (7)：

C30B 29/04 , C23C 16/27 , C23C 16/511 , B26F 3/00 , G02B 1/02 , H01L 31/09 , B01J 3/06

FI (7)：

C30B29/04 E , C23C16/27 , C23C16/511 , B26F3/00 K , G02B1/02 , H01L31/00 A , B01J3/06 E

F-Term (35)：

3C060CE00 , 4C160FF03 , 4C160FF10 , 4C160MM32 , 4G077AA03 , 4G077BA03 , 4G077DB19 , 4G077EA02 , 4G077EA05 , 4G077EA07 , 4G077ED06 , 4G077EG16 , 4G077HA13 , 4G077TA04 , 4G077TA07 , 4G077TA12 , 4G077TB07 , 4G077TC06 , 4G077TC08 , 4G077TK01 , 4K030AA09 , 4K030AA17 , 4K030BA28 , 4K030BB02 , 4K030CA05 , 4K030DA03 , 4K030FA01 , 4K030GA02 , 4K030JA06 , 4K030JA10 , 4K030KA02 , 5F088AB03 , 5F088CB03 , 5F088CB18 , 5F088LA07

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

噴流衝合装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-342201 Applicant：株式会社スギノマシン, 旭ダイヤモンド工業株式会社
単結晶ダイヤモンド切削工具
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-353121 Applicant：賛光精機株式会社
切断工具インサートの製造方法
Gazette classification：公表公報 Application number：特願平10-508721 Applicant：ドレッカー・インターナショナル・ベー・ファウ

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Article cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

Very high growth rate chemical vapor deposition of single-crystal diamond
Ultrahard diamond single crystals from chemical vapor deposition

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