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J-GLOBAL ID：200903015735716932

ダイヤモンド製造用装置及び方法

Inventor： ヘムレイ、ラッセル、ジェイ. ,  マオ、ホー - クワン ,  ヤン、チィー - シウ ,  フォーラ、ヨーゲシュ、ケイ.
Applicant, Patent owner： カーネギー インスチチューション オブ ワシントン ,  ザ ユーエイビー リサーチ ファンデーション
Agent (4)： 浅村 皓 ,  浅村 肇 ,  安藤 克則 ,  小池 誠
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2003542679
Publication number (International publication number)：2005508279
Application date： Nov. 07, 2002
Publication date： Mar. 31, 2005
Summary：

成膜チャンバー内でダイヤモンドを製造する装置であって、ダイヤモンドを保持し、前記ダイヤモンドの成長面の縁に隣接する前記ダイヤモンドの側面と熱的接触をするための放熱ホルダーと、前記ダイヤモンドの前記成長面を横切って前記ダイヤモンドの温度を測定するように配置した非接触温度測定装置と、前記非接触温度測定装置からの温度計測を受け、前記成長面の温度を、前記成長面を横切る全部の温度勾配が20°C未満となるように制御するための主プロセス制御器とを備えている。ダイヤモンドを製造する方法は、前記ダイヤモンドの成長面の縁に隣接する前記ダイヤモンドの側面と熱的接触をするように、ホルダー内にダイヤモンドを配置するステップと、前記ダイヤモンドの前記成長面の温度を測定して温度計測値をもたらすステップと、前記温度測定値に基づいて前記成長面の温度を制御するステップと、前記ダイヤモンドの成長速度が1時間当たり1マイクロメートルより大きいマイクロ波プラズマ化学蒸着により、前記成長面に単結晶ダイヤモンドを成長させるステップとを含む。

Claim (excerpt)：

成膜チャンバー内でダイヤモンドを製造する装置であって、 ダイヤモンドを保持し、前記ダイヤモンドの成長面の縁に隣接する前記ダイヤモンドの側面と熱的接触をするための放熱ホルダーと、 前記ダイヤモンドの前記成長面を横切って前記ダイヤモンドの温度を測定するように配置した非接触温度測定装置と、 前記非接触温度測定装置からの温度計測を受け、前記成長面の温度を、前記成長面を横切る全部の温度勾配が20°C未満となるように制御するための主プロセス制御器とを備えた前記装置。

IPC (4)：

C30B29/04 ,  C01B31/06 ,  C23C16/27 ,  C30B25/16

FI (4)：

C30B29/04 E ,  C01B31/06 ,  C23C16/27 ,  C30B25/16

F-Term (47)：

4G077AA03 ,  4G077BA03 ,  4G077DB19 ,  4G077EA02 ,  4G077EA05 ,  4G077EA06 ,  4G077EG03 ,  4G077EG04 ,  4G077EH01 ,  4G077TA04 ,  4G077TA07 ,  4G077TA08 ,  4G077TA12 ,  4G077TB07 ,  4G077TC06 ,  4G077TC08 ,  4G077TC10 ,  4G077TF01 ,  4G077TF02 ,  4G077TJ02 ,  4G077TJ03 ,  4G077TJ04 ,  4G077TJ13 ,  4G146AA04 ,  4G146AB07 ,  4G146AD01 ,  4G146BA12 ,  4G146BA48 ,  4G146BC09 ,  4G146BC19 ,  4G146BC25 ,  4G146BC27 ,  4G146BC33A ,  4G146BC34A ,  4G146BC34B ,  4K030AA10 ,  4K030AA17 ,  4K030BA28 ,  4K030BB02 ,  4K030FA01 ,  4K030GA02 ,  4K030JA08 ,  4K030JA10 ,  4K030JA12 ,  4K030KA24 ,  4K030KA39 ,  4K030KA41

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

• 特開昭58-110494
  
• 合成ダイヤモンド析出用基体の温度調整法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-297891   Applicant：東海カーボン株式会社
• 特開平3-131598
  
• ダイヤモンド合成法およびその合成装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-236592   Applicant：川崎製鉄株式会社
• 特開平4-367592
  
• ダイヤモンドの合成装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-336315   Applicant：出光石油化学株式会社
• 硬質炭素薄膜形成装置およびその形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-035056   Applicant：三菱電機株式会社