Pat
J-GLOBAL ID：200903039218771318

半導体装置およびその作製方法

Inventor：
山崎 舜平

About 山崎 舜平


Applicant, Patent owner：
株式会社半導体エネルギー研究所

About 株式会社半導体エネルギー研究所


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001023509
Publication number (International publication number)：2001290439
Application date： Jan. 31, 2001
Publication date： Oct. 19, 2001
Summary：
【要約】【課題】 本願発明は、プラスチック支持体(プラスチックフィルムもしくはプラスチック基板を含む)を用いて高性能な電気光学装置を作製するための技術を提供することを課題とする。【解決手段】本願発明は、プラスチックに比べて耐熱性のある基板の上に必要な素子を形成し、後にそれらの素子を室温の処理によりプラスチック基板11に移すことを特徴としている。また、プラスチック基板11上にカラーフィルタ57を設けられ、第1の接着層55によりTFT素子の下地膜12と接着している。
Claim (excerpt)：
基板上に接着層と、前記接着層上に絶縁膜と、前記絶縁膜上に発光素子とを有し、前記発光素子から発光した光は、前記基板を通過して放射されることを特徴とする半導体装置。
IPC (15)：
G09F 9/30 338 ,  G09F 9/30 310 ,  G09F 9/30 349 ,  G09F 9/30 ,  G09F 9/30 365 ,  G02F 1/13357 ,  G02F 1/1368 ,  G09F 9/00 342 ,  G09F 9/00 348 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H05B 33/10 ,  H05B 33/12 ,  H05B 33/14 ,  H05B 33/22
FI (15)：
G09F 9/30 338 ,  G09F 9/30 310 ,  G09F 9/30 349 B ,  G09F 9/30 349 C ,  G09F 9/30 365 Z ,  G02F 1/13357 ,  G02F 1/1368 ,  G09F 9/00 342 Z ,  G09F 9/00 348 C ,  H05B 33/10 ,  H05B 33/12 E ,  H05B 33/14 A ,  H05B 33/22 Z ,  H01L 29/78 626 C ,  H01L 29/78 627 D
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
Show all
Cited by examiner (4)
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM