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J-GLOBAL ID：200903039246729068

ウェーハの洗浄方法

Inventor： 原田 恭光 ,  小川 正 ,  荻迫 守
Applicant, Patent owner： コマツ電子金属株式会社
Agent (1)： 衞藤 彰
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995050286
Publication number (International publication number)：1996213356
Application date： Jan. 31, 1995
Publication date： Aug. 20, 1996
Summary：

【要約】【目的】 鏡面仕上げ工程でシリコンウェーハの裏面に付着したワックスを除去する際、シリコンが過剰な食刻を受けるのを抑制する。【構成】 研磨仕上げをする際、シリコンウェーハ1の裏面にワックス2が付着する。このウェーハ1を酸化剤で処理して、ウェーハ1の上面に酸化膜3を形成し、次いで強塩基溶液で処理してワックス2を除去する。また酸化剤を含む強塩基溶液で同時処理してもよい。酸化膜(SiO2)はシリコン(Si)と違って腐食され難く、強塩基溶液による過剰な食刻が抑制される。酸化剤には、過酸化水素水、オゾンなどを使用する。強塩基溶液には、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム等を用いる。またアミノアルコール等の有機塩基も使用できる。

Claim (excerpt)：

鏡面仕上げ後めウェーハからワックスを除去するに際し、ウェーハを酸化剤で処理し、次いで無機強塩基溶液及び有機塩基溶液からなる群から選ばれた少なくともひとつで処理することを特徴とするウェーハの洗浄方法。

IPC (3)：

H01L 21/304 341 ,  H01L 21/304 ,  H01L 21/308

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平3-203981
  
• 特開平3-238818
  
• 半導体ウェーハ処理液
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-103191   Applicant：株式会社東芝