半導体装置およびその作製方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994197363
Publication number (International publication number)：1996046209
Application date： Jul. 29, 1994
Publication date： Feb. 16, 1996
Summary：

【要約】【目的】不純物イオンの注入に従う、ソース/ドレイン領域表面における損傷の影響を排除した薄膜トランジスタを提供する。【構成】ソース領域209とドレイン領域210への不純物イオン(Pイオン)の注入の際に生じるソース領域209とドレイン領域210の表面を200で示すようにエッチングによって取り除く。こうすることで、不純物イオンの注入の際に生成されたソース/ドレイン領域表面の欠陥を取り除くことができる。また、エッチングによって薄くなったソース/ドレイン領域の表面に金属のシリサイド層を形成することで、ソース/ドレイン領域の抵抗を下げることができる。

Claim (excerpt)：

少なくともソース領域とドレイン領域とチャネル形成領域とが形成された活性層を有し、前記ソース領域とドレイン領域との表面は50Å以上の厚さでエッチングされていることを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 21/265

FI (2)：

H01L 29/78 616 L , H01L 21/265 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

薄膜トランジスタ,液晶表示パネルのアクティブマトリクス基板およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-031003 Applicant：セイコーエプソン株式会社
特開昭62-032653
特開昭64-019770

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