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J-GLOBAL ID：200903039372567502

半導体薄膜、その製造方法、および製造装置、ならびに半導体素子、およびその製造方法

Inventor： 倉増 敬三郎 ,  井土 眞澄 ,  佐谷 裕司 ,  武富 義尚 ,  筒 博司 ,  西谷 輝 ,  西谷 幹彦 ,  後藤 真志 ,  美濃 美子
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 大前 要
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998358241
Publication number (International publication number)：2000068520
Application date： Dec. 16, 1998
Publication date： Mar. 03, 2000
Summary：

【要約】【課題】 多結晶シリコン薄膜トランジスタのシリコン薄膜の粒径を多きくして、高い電界効果移動度等を有する半導体素子を得る。【解決手段】 透明絶縁性基板201と接する側の下層絶縁膜202の熱伝導率がその上に形成する上層絶縁膜203の熱伝導率よりも大きな材料よりなる2層構造の絶縁膜を透明絶縁性基板201上に形成した後、上層絶縁膜203を複数のストライプ状にパターン形成し、その後パターン加工された絶縁膜上に非晶質シリコン薄膜204を形成し、さらに上層絶縁膜203のストライプパターンに平行にレーザ光を走査照射して、非晶質シリコン薄膜204を多結晶シリコン薄膜210にする。

Claim (excerpt)：

基板上に、第1の熱伝導率を有する第1の絶縁膜と、上記第1の熱伝導率と異なる第2の熱伝導率を有し、部分的な領域に選択的に形成された第2の絶縁膜とを積層する工程と、上記第1の絶縁膜および第2の絶縁膜上に非単結晶半導体薄膜を積層する工程と、上記非単結晶半導体薄膜にエネルギビームを照射して結晶成長させる工程とを有することを特徴とする半導体薄膜の製造方法。

IPC (5)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/268

FI (5)：

H01L 29/78 627 G ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/268 F ,  H01L 29/78 626 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 半導体装置の作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-067983   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
• 特開昭58-178565