半導体装置の作製方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994067983
Publication number (International publication number)：1995249779
Application date： Mar. 11, 1994
Publication date： Sep. 26, 1995
Summary：

【要約】【目的】レーザーもしくはそれと同等な強光を用いて珪素膜の結晶化をおこなう方法において、結晶性の良好な珪素膜を得る方法を提供する。【構成】基板上に窒化アルミニウムのごとき熱伝導性の良好な材料によって形成された被膜を選択的に設け、さらに、珪素膜を形成する。この状態でレーザー光もしくはそれと同等な強光を照射すると、珪素膜のうち、前記窒化アルミニウム膜の近傍のものは、窒化アルミニウムに熱を吸収されて、ただちに凝固するが、その他の部分は凝固する速度が遅い。その結果、窒化アルミニウムの部分から結晶化が進行する。レーザー照射時に基板の温度を400°C以上とすると凝固速度が低下するため、より良好な結晶性を示す珪素膜を得ることができる。また、基板を薄くすることによっても同様な効果を得ることができる。

Claim (excerpt)：

絶縁表面上に熱伝導度の高い材料よりなる被膜を選択的に形成する第1の工程と、非晶質もしくは結晶性の珪素膜を形成する第2の工程と、パルス状のレーザー光もしくはそれと同等な強光を照射することによって前記珪素膜を溶融せしめる第3の工程と、前記珪素膜を用いて薄膜半導体デバイスを形成する第4の工程とを有することを特徴とする半導体装置の作製方法。

IPC (4)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 21/20 , H01L 21/268

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

液晶表示装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-187907 Applicant：株式会社東芝
薄膜トランジスタおよびその製法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-199952 Applicant：株式会社リコー
特開平3-062971

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