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J-GLOBAL ID：200903039377873431
半導体光素子及びその製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
加藤 朝道
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995207651
Publication number (International publication number)：1997036496
Application date： Jul. 21, 1995
Publication date： Feb. 07, 1997
Summary：
【要約】【課題】結晶成長のみを用いて、均一深さの回折格子にλ/4シフトの導入や光導波方向への光結合係数の変調構造の形成を可能とすることによって、その作製プロセスを大幅に簡単化するとともに高機能光素子を得る。【解決手段】第1、第2の半導体層に挟まれた回折格子を有する半導体光素子において、回折格子を挟む半導体層を、ストライプ状誘電体薄膜を成長阻止マスクとする選択成長を用いて形成し、光導波方向でストライプ幅を適当に変化させることによって、半導体層の組成波長(屈折率)を制御し、回折格子へλ/4シフトの導入を可能とし、また光結合係数の変調をも可能とする。この選択成長を用いて形成された回折格子を有する半導体光素子は、分布反射器の光結合係数を任意に制御することができ、光素子の機能を最大限に取り出すことのできる分布反射器構造を形成することができる。
Claim (excerpt)：
第1、第2の半導体層に挟まれた回折格子を有する半導体光素子であって、前記回折格子を挟む前記第1、第2の半導体層のうちの少なくとも一の半導体層が、光導波方向に連続的に形成され、屈折率が前記光導波方向に連続的にまたは断続的に変化し、これに伴い光結合係数が連続的または断続的に変化してなる回折格子分布反射器を備えたことを特徴とする半導体光素子。
IPC (2)：
FI (2)：
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)
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特開平2-065192
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分布帰還型半導体レーザおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平4-292851
Applicant：日本電気株式会社
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