化合物半導体装置の製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：宮田金雄 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996005714
Publication number (International publication number)：1997199425
Application date： Jan. 17, 1996
Publication date： Jul. 31, 1997
Summary：

【要約】【課題】炭素ドープ化合物半導体層を有するウエハを形成する場合、炭素ドープ化合物半導体層への水素の混入を少なくしキャリア濃度の低下を防する。【解決手段】半絶縁性GaAs基板81上に、所定の成長温度で炭素ドープのベース層85を形成する第1の工程と、形成されたベース層85をアルキルアルシン雰囲気中で所定の温度まで変化させる第2の工程と、を備えたことにより、ベース層85への水素の混入が抑制され、ドープされた炭素の活性化率の低下を防止できる。

Claim (excerpt)：

化合物半導体基板上に、所定の成長温度で炭素ドープの化合物半導体層を形成する第1の工程と、形成された上記化合物半導体層をアルキルアルシン雰囲気中で所定の温度まで変化させる第2の工程と、を備えた化合物半導体装置の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/205 , H01L 33/00 , H01S 3/18

FI (3)：

H01L 21/205 , H01L 33/00 A , H01S 3/18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

特開平3-235323
化合物半導体結晶の気相エピタキシャル成長方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-234908 Applicant：日立電線株式会社
特開平3-235323

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