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J-GLOBAL ID：200903039410920904

化合物半導体超微粒子の製造方法

Inventor： 中野 豊将 ,  石塚 雅之 ,  斉藤 光正
Applicant, Patent owner： 住友大阪セメント株式会社
Agent (7)： 志賀 正武 ,  高橋 詔男 ,  渡邊 隆 ,  青山 正和 ,  鈴木 三義 ,  西 和哉 ,  村山 靖彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004084553
Publication number (International publication number)：2005272516
Application date： Mar. 23, 2004
Publication date： Oct. 06, 2005
Summary：

【課題】 付活元素が非常に効率的に添加されたナノメートルサイズの化合物半導体超微粒子を、容易かつ安価に製造することが可能な化合物半導体超微粒子の製造方法を提供する。【解決手段】 本発明の化合物半導体超微粒子の製造方法は、化合物半導体超微粒子と付活元素イオンとを液体中にて共存させ、これら化合物半導体超微粒子及び付活元素イオンが共存した液体に加熱処理を施すことにより、付活元素を化合物半導体超微粒子に添加することを特徴とする。【選択図】 なし

Claim (excerpt)：

化合物半導体超微粒子と付活元素イオンとを液体中に共存させ、これら化合物半導体超微粒子及び付活元素イオンが共存した液体に加熱処理を施すことにより、前記付活元素を前記化合物半導体超微粒子に添加することを特徴とする化合物半導体超微粒子の製造方法。

IPC (1)：

C09K11/08

FI (1)：

C09K11/08 A

F-Term (24)：

3K007AB03 ,  3K007DB02 ,  3K007DC01 ,  3K007DC02 ,  3K007DC03 ,  3K007DC04 ,  4H001CA02 ,  4H001CA06 ,  4H001CF01 ,  4H001XA08 ,  4H001XA16 ,  4H001XA30 ,  4H001XA34 ,  4H001XA48 ,  4H001XA52 ,  4H001YA09 ,  4H001YA17 ,  4H001YA25 ,  4H001YA29 ,  4H001YA47 ,  4H001YA62 ,  4H001YA63 ,  4H001YA65 ,  4H001YA69

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 発光体の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-212171   Applicant：ソニー株式会社