半導体装置及びその製造方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴江武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993104588
Publication number (International publication number)：1994314690
Application date： Apr. 30, 1993
Publication date： Nov. 08, 1994
Summary：

【要約】【目的】高温スパッタリング法、レーザメルト法により、空孔などを発生させずに導電層上のホールを埋め込む。【構成】導電層上のホール13内には、バリアメタル層として、第一層にチタン14、第二層に窒化チタン15、第三層にチタン16が形成されている。第三層のチタン16上には、アルミ合金17が形成されている。このアルミ合金17は、高温スパッタリング法により埋め込まれる際、下地のチタン16と相互拡散を起こすため、当該チタン16に対して密着性がよく、空孔(ヴォイド)なくホール13を埋め込むことができる。

Claim (excerpt)：

導電層上に形成されたホールに埋め込まれる電極材料が、最上層が高融点金属である2層以上のバリアメタル層と、前記バリアメタル層上に形成される金属層とから構成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (5)：

H01L 21/3205 , H01L 21/203 , H01L 21/268 , H01L 21/28 301 , H01L 21/28

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (19)

特開平2-005521
特開平4-264719
特開平4-196526

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