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J-GLOBAL ID：200903039425690239

ガスセンサ

Inventor：
大西 久男

About 大西 久男

, 
田畑 総一

About 田畑 総一

, 
横山 晃太

About 横山 晃太


Applicant, Patent owner：
大阪瓦斯株式会社

About 大阪瓦斯株式会社


Agent (1)： 蔦田 璋子 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999105840
Publication number (International publication number)：2000298108
Application date： Apr. 13, 1999
Publication date： Oct. 24, 2000
Summary：
【要約】【課題】 低消費電力で駆動でき、メタンに対する選択性が高く検知でき、素子の実効温度変化の小さいガスセンサを提供する。【解決手段】 下面に凹部18を設けたシリコン基板12上に、SiO2 絶縁層14を備え、その上にヒータ20及び保護膜としてのSiO2 絶縁層22を有し、酸化スズ薄膜26からなる感応層を備える。この酸化スズ薄膜26を覆うように、2層構造の触媒層28a,28bを設ける。この酸化スズ薄膜26の両端部には、この層の抵抗値の変化を検出するための一対の白金よりなる電極24,24が設けられる。
Claim (excerpt)：
厚みの一部薄くした基板と、前記基板の厚みを薄くした部分に形成されたヒータと、前記ヒータ上に形成された絶縁層と、前記絶縁層上に設けられたガス感応体と、前記ガス感応体に設けられた一対の電極とを有し、前記ガス感応体は、前記絶縁層上に設けられた膜状の酸化物半導体と、前記酸化物半導体の気相接触部を覆うように設けられた多孔質の触媒層と、から構成されることを特徴とするガスセンサ。
FI (2)：
G01N 27/12 B ,  G01N 27/12 C
F-Term (11)：
2G046AA19 ,  2G046BA01 ,  2G046BA04 ,  2G046BA06 ,  2G046BA09 ,  2G046BB02 ,  2G046BE03 ,  2G046DB04 ,  2G046FE29 ,  2G046FE31 ,  2G046FE39
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (24)
  • 特開平1-250852
  • ガスセンサ
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-238021   Applicant：株式会社東芝
  • 特開平4-348280
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