抵抗性クロスポイントメモリセルアレイのための等電位検知方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：古谷馨 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001135844
Publication number (International publication number)：2002008369
Application date： May. 07, 2001
Publication date： Jan. 11, 2002
Summary：

【要約】【課題】 MRAMデバイス内のメモリセルの抵抗状態を高い信頼性で検知する方法及び装置を提供すること。【解決手段】磁気ランダムアクセスメモリ(MRAM)中のメモリセル(12)についての読み出し動作時に選択されたビットラインと選択されていないビットラインとに等しい電位を印加する。代替的には、選択されたビットラインと選択されていないワードラインとに等しい電位を印可することが可能である。

Claim (excerpt)：

複数のメモリセル(12)からなる抵抗性クロスポイントアレイ(10)と、該アレイ(10)の行に沿って延びる複数のワードライン(14)と、前記アレイ(10)の列に沿って延びる複数のビットライン(16)と、選択されたメモリセル(12)についての読み出し動作時に該選択されたメモリセル(12)の抵抗状態を検知する回路(20)であって、選択されたビットラインに第1の電位を印加し、選択されたワードラインに第2の電位を印加し、及び選択されていないワードライン及びビットラインのサブセットに第3の電位を印加し、該第3の電位が前記第1の電位と等しい、回路(20)とを備えている、データ記憶装置(8)。

IPC (3)：

G11C 11/15 , G11C 11/14 , H01L 27/105

FI (3)：

G11C 11/15 , G11C 11/14 E , H01L 27/10 447

F-Term (2)：

5F083FZ10 , 5F083LA03

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

固体メモリおよびメモリ形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-312782 Applicant：ヒューレット・パッカード・カンパニー

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