ハイブリッドインダクタ及びマルチ半径ドーム形シーリングを有するRFプラズマリアクタ

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：長谷川芳樹 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997055376
Publication number (International publication number)：1998027785
Application date： Feb. 03, 1997
Publication date： Jan. 27, 1998
Summary：

【要約】半導体ウエハを処理するための誘導結合型RFプラズマリアクタリアクタは、側壁及びシーリングを有するリアクタチャンバとそのチャンバ内にウエハを支持するためのウエハペデスタルとRF電源と、処理ガスをリアクタチャンバに導入するための装置と、RF電源に接続されたリアクタチャンバに隣接するコイルインダクタを含み、このコイルインダクタは、(a)側壁の一部に対面し底部巻線及び頂部巻線を含むサイドセクションであって、頂部巻線はシーリングの頂部高さに少なくともほぼ相当する高さにある前記サイドセクション、(b)サイドセクションの頂部巻線から半径方向内側に延びるトップセクションであって、少なくともシーリングの大部分の上にほぼ横たわる前記トップセクションとを含む。本発明は、ドーム基部に関するドーム頂点高さの特定範囲及びドーム頂点に関する特定のウエハ位置の特定範囲を含む最適なコイルドーム幾何形状に従う。

Claim (excerpt)：

(新) 基板を処理するためのプラズマリアクタであって、リアクタ内で直径dの基板を支持するペデスタルと、頂部を有する側壁、及び前記側壁の前記頂部上に基部を有するシーリングを含むチャンバエンクロージャと、前記シーリングに隣接している誘導コイル、及び前記誘導コイルに連結しているプラズマソース電源とを備え、前記基部が前記ウエハペデスタル上方の高さhにあり、前記シーリングが前記基部上方高さHにある頂部を有しており、約6インチ〜約12インチの範囲の基板直径dに対してH+hは約4インチ〜約7インチであるプラズマリアクタ。

IPC (4)：

H01L 21/3065 , C23F 4/00 , H01L 21/205 , H05H 1/46

FI (4)：

H01L 21/302 B , C23F 4/00 A , H01L 21/205 , H05H 1/46 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

高密度プラズマCVD及びエッチングリアクタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-203633 Applicant：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
反応性イオンエッチング装置及び方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-306010 Applicant：日電アネルバ株式会社

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