高密度プラズマCVD及びエッチングリアクタ

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：長谷川芳樹 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994203633
Publication number (International publication number)：1995169703
Application date： Aug. 29, 1994
Publication date： Jul. 04, 1995
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】アスぺクトレシオが2より大きなチャンネルに対して、誘電体をスパッタリングで堆積する場合,通常の方法では入口が早く閉塞されて内部に空所が生じる。このような空所を作らないようにプラズマCVDとエッチングをうまく組み合わせたリアクタを提供する。【構成】 RFスパッタエッチングプロセスでは被加工面に対するイオンの入射角が45°の時にエッチング速度が最も速い。この性質を利用してチャンネル入口の角の所では堆積よりもエッチングの方が少し速くなるようにリアクタ天井の円形底壁50に設けた噴霧穴51から反応ガスを超音速で噴出させ,RF電極74上に保持したウエハ46に衝突させる。円形底壁50の内側に配置した磁石と,RFアンテナ49による誘導結合の効果で,発生したプラズマ中のイオンの入射角の分布が適当に調節されると,チャンネル入口の角部の誘電体堆積速度が他の部分より遅くなり空所を作らぬ堆積が行われる。

Claim (excerpt)：

真空チャンバを含むRF誘導結合プラズマリアクタであって、前記チャンバ中に反応性(reactant)ガスを導入するための1以上のガス源と、前記チャンバ内で誘導結合によりプラズマを発生するために、該チャンバ中にRFエネルギーを放射する能力があり、且つ2次元的に湾曲した面内に置かれているアンテナとを備える、リアクタ。

IPC (4)：

H01L 21/205 , C23C 14/34 , C23F 4/00 , H01L 21/3065

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

特開平3-247767
特開平3-017272
特開平3-101226

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