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J-GLOBAL ID：200903039466679002

光電変換素子及びその製造方法、並びにその素子を用いた太陽電池

Inventor： 橘 泰宏 ,  桑畑 進
Applicant, Patent owner： 国立大学法人大阪大学 ,  財団法人大阪産業振興機構
Agent (1)： 矢野 正行
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007128888
Publication number (International publication number)：2008287900
Application date： May. 15, 2007
Publication date： Nov. 27, 2008
Summary：

【課題】著しく高い電流変換率を有する光電変換素子及びそれを用いた太陽電池を提供する。【解決手段】透明導電膜と対極との間に電荷輸送層を備えている光電変換素子において、前記電荷輸送層が、前記透明導電膜上に形成された非晶質金属酸化物n型半導体からなるバリア膜と、前記バリア膜上に形成され、結晶性金属酸化物n型半導体の粒子群からなり、CdSなどの量子ドットが担持された多孔質膜と、前記多孔質膜に浸透させられた電解液(好ましくはフェリシアン化物イオンやフェロシアン化物イオンを含む。)とを含むことを特徴とする光電変換素子である。【選択図】図6

Claim (excerpt)：

透明導電膜と対極との間に電荷輸送層を備えている光電変換素子において、前記電荷輸送層が、 前記透明導電膜上に形成された非晶質金属酸化物n型半導体からなるバリア膜と、 前記バリア膜上に形成され、結晶性金属酸化物n型半導体の粒子群からなり、量子ドットが担持された多孔質膜と、 前記多孔質膜に浸透させられた電解液とを含むことを特徴とする光電変換素子。

IPC (2)：

H01M 14/00 ,  H01L 31/04

FI (2)：

H01M14/00 P ,  H01L31/04 Z

F-Term (20)：

5F051AA14 ,  5F051FA03 ,  5F051FA06 ,  5F051FA13 ,  5F051FA15 ,  5F051GA03 ,  5H032AA06 ,  5H032AS06 ,  5H032AS16 ,  5H032BB02 ,  5H032BB05 ,  5H032BB06 ,  5H032BB07 ,  5H032CC06 ,  5H032CC16 ,  5H032EE03 ,  5H032EE04 ,  5H032EE07 ,  5H032EE20 ,  5H032HH04

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 固体ヘテロ接合および固体増感(感光性)光起電力セル
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-230059   Applicant：エコールポリテクニークフェデラルドゥローザンヌ(エーペーエフエル)