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J-GLOBAL ID：200903039481276925

SiC単結晶基板の製造方法

Inventor： 坂本 光 ,  金谷 正敏 ,  星野 泰三 ,  西川 猛
Applicant, Patent owner： 新日本製鐵株式会社
Agent (1)： 八田 幹雄 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995343098
Publication number (International publication number)：1997183700
Application date： Dec. 28, 1995
Publication date： Jul. 15, 1997
Summary：

【要約】【課題】 SiC単結晶のインゴットからSiC単結晶基板に加工するまでの工程で基板内部に深く不均一に導入される表面加工変質部をドライエッチング法により除去する際、基板表面の表面荒れを発生させず且つエッチング前の平坦度を保ったまま表面加工変質部を完全に除去する。【解決手段】 インゴットから加工したSiC単結晶基板にイオン化した不活性ガスを利用して基板の表面加工変質部と非加工変質部の一部とをエッチングし、これにより導入されるイオン照射損傷層を反応性ガスを利用したエッチングにより除去することで上記課題を解決する。

Claim (excerpt)：

鏡面仕上げに加工されたSiC単結晶基板にイオン化した不活性ガスを利用して前記基板の表面加工変質部と非加工変質部の一部とをエッチングする工程と、前記工程により導入されるイオン照射損傷層を反応性ガスを利用したエッチングにより除去する工程を有することを特徴とするSiC単結晶基板の製造方法。

IPC (3)：

C30B 33/12 ,  C30B 29/36 ,  H01L 23/14

FI (3)：

C30B 33/12 ,  C30B 29/36 A ,  H01L 23/14 S

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 半導体装置作製用SiC単結晶基板とその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-357053   Applicant：株式会社豊田中央研究所
• 特開平4-293234