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J-GLOBAL ID：200903039510606042

窒化物レーザダイオード構造及びその製造方法

Inventor： ウィリアム エス ウォン ,  ミハエル エイ ナイゼル
Applicant, Patent owner： ゼロックス・コーポレーション
Agent (1)： 中村 稔 (外9名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001247104
Publication number (International publication number)：2002076523
Application date： Aug. 16, 2001
Publication date： Mar. 15, 2002
Summary：

【要約】【課題】 半導体薄膜を分離して、異種の基板材料の上に移転させるやり方で、窒化物レーザダイオード構造を製造する方法を提供する。【解決手段】 レーザダイオード構造の成長後に絶縁性透明基板を取り除いて、レーザダイオード用の電気接点を容易に設けることができ、特殊なアーキテクチャの使用を避けることができ、レーザダイオードに高性能のヒートシンクを取り付けることができるという利点がある。本発明の窒化物レーザダイオード構造を製造する方法は、第1面に透明基板が取り付けられた半導体薄膜を準備し、半導体薄膜の第2面に支持基板を取り付け、半導体薄膜の第1面から透明基板を取り除き、半導体薄膜の第1面の上に弾性的にしなやかな支持層を置き、支持基板から半導体薄膜を切り離し、弾性的にしなやかな支持層を高い熱伝導率を有する基板の上に置く、諸ステップを含んでいる。

Claim (excerpt)：

窒化物レーザダイオード構造を製造する方法であって、第1面に光学的に透明な基体が取付けられた半導体膜を準備するステップと、前記半導体膜の第2面に支持基体を取付けるステップと、前記半導体膜の第1面から前記光学的に透明な基体を取り除くステップと、前記半導体膜の第1面の上に弾性的にしなやかな支持層を置くステップと、前記支持基体から前記半導体膜を切り離すステップと、前記弾性的にしなやかな支持層を高い熱伝導率を有する基体上に置くステップと含むことを特徴とする方法。

F-Term (5)：

5F073CA17 ,  5F073CB05 ,  5F073DA25 ,  5F073DA32 ,  5F073DA35

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 成長基板が除去された窒化物レ-ザダイオ-ドの構造及び窒化物レ-ザダイオ-ドアレイ構造の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-364118   Applicant：ゼロックスコーポレイション