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J-GLOBAL ID：200903051092622281

成長基板が除去された窒化物レ-ザダイオ-ドの構造及び窒化物レ-ザダイオ-ドアレイ構造の製造方法

Inventor： ミカエル エイ ケイセル ,  デビッド ピー ボウ ,  ピン メイ ,  リンダ ティ ロマノ
Applicant, Patent owner： ゼロックス コーポレイション
Agent (1)： 吉田 研二 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999364118
Publication number (International publication number)：2000196197
Application date： Dec. 22, 1999
Publication date： Jul. 14, 2000
Summary：

【要約】【課題】 レーザダイオードアレイ構造の成長後にサファイア基板を除去して、レーザダイオードアレイへの電気的コンタクトの形成の簡略化と特別な構造の使用の回避、更に優れたヒートシンクのレーザダイオードアレイへの取り付けを、可能にする。【解決手段】 レーザダイオードアレイ構造を備えた半導体膜の成長後に、半導体膜のサファイア基板側と反対側に支持基板1105を取り付ける。その後、サファイア基板を除去する。サファイア基板の除去後、熱伝導性基板1138をサファイア基板があった側に取り付ける。サファイア基板が除去されているので、レーザダイオードアレイへ電気的コンタクトを設けるのに特別な構造が不必要となり、又、より効果的なヒートシンク効果を得ることができる。

Claim (excerpt)：

窒化物レーザダイオードアレイの構造であって、複数の活性層を含み且つ第1の結晶面を有している半導体膜と、第2の結晶面を有し且つ前記半導体膜を支持し、前記熱伝導性基板と前記複数の活性層との間の熱的な結合を強化する熱圧着結合によって前記半導体膜に取り付けられている熱伝導性基板と、前記半導体膜と前記熱伝導性基板との間に設けられたメタル層と、前記レーザダイオードアレイを電気的にバイアスする複数の電極と、を備えていることを特徴とする窒化物レーザダイオードアレイの構造。

IPC (2)：

H01S 5/323 ,  H01S 5/022

FI (2)：

H01S 5/323 ,  H01S 5/022

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

• レーザ光源装置及びレーザプリンタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-001309   Applicant：株式会社日立製作所, 日立工機株式会社
• レーザ光源及びその応用装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-138022   Applicant：株式会社日立製作所, 日立工機株式会社
• 窒化物半導体素子及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-056046   Applicant：日亜化学工業株式会社
• 半導体素子及び半導体素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-038118   Applicant：株式会社東芝
• 特開平2-097082
  
• 半導体発光素子およびその製法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-118073   Applicant：ローム株式会社