半導体装置の製造方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴江武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994115457
Publication number (International publication number)：1995321077
Application date： May. 27, 1994
Publication date： Dec. 08, 1995
Summary：

【要約】【目的】本発明は、凹凸を有するウェーハ基板の表面に形成された絶縁膜をポリッシュする方法において、絶縁膜を均一に平坦化できるようにすることを最も主要な特徴とする。【構成】たとえば、セル12および配線13の形成されたウェーハ基板11の全面に、配線13を覆う高さ以上の厚さで、弗素を含む絶縁膜14を形成する。そして、この弗素を含んでなる絶縁膜14を、CMP装置により酸化セリウムを含む研磨剤を用いてポリッシュする。これにより、ウェーハ面内での平坦面の均一性の悪さを改善でき、均一性の良い平坦面をもって絶縁膜を平坦化できる構成となっている。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に弗素を含んで形成された絶縁膜をケミカル・メカニカル・ポリッシング法により平坦化する工程からなることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/304 321 , C23C 16/40 , H01L 21/316

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

気相エッチング方法および装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-107196 Applicant：日本電気株式会社
特開平4-294539
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-132978 Applicant：株式会社東芝

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Cited by examiner (5)

気相エッチング方法および装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-107196 Applicant：日本電気株式会社
特開平4-294539
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-132978 Applicant：株式会社東芝

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