半導体装置の薄膜形成方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：長谷川芳樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993086366
Publication number (International publication number)：1994326026
Application date： Apr. 13, 1993
Publication date： Nov. 25, 1994
Summary：

【要約】【目的】更なる高密度化に対応し得るPECVD法を適用した半導体装置の薄膜形成方法を提供する。【構成】相互に異なった周波数の2電源により反応容器内にプラズマを発生させ、この反応容器内に導入した反応ガスをプラズマ放電エネルギーを用いて活性化させることにより、反応ガスの化学的気相成長によって生成される沈積物を試料面へ被着させる半導体装置の薄膜形成方法であって、前記反応ガスとして、TEOS系ガスとフッ素系ガスとの混合ガス、又はTEOS系ガスと塩素系ガスとの混合ガス、又はTEOS系ガスと臭素系ガスとの混合ガスを適用した。

Claim (excerpt)：

相互に異なった周波数の2電源により反応容器内にプラズマを発生させ、この反応容器内に導入した反応ガスをプラズマ放電エネルギーを用いて活性化させることにより、反応ガスの化学的気相成長によって生成される沈積物を試料面へ被着させる半導体装置の薄膜形成方法において、前記反応ガスとして、TEOS系ガスとフッ素系ガスとの混合ガスを適用したことを特徴とする半導体装置の薄膜形成方法。

IPC (3)：

H01L 21/205 , C23C 14/34 , C23F 4/00

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

特開平3-268429
特公昭59-030130
特開平4-341568

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