半導体装置及びその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：外川英明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998207451
Publication number (International publication number)：2000040786
Application date： Jul. 23, 1998
Publication date： Feb. 08, 2000
Summary：

【要約】【課題】高集積化が可能であり、かつ共振の尖鋭度Qの高いインダクタ素子を提供する。【解決手段】本願発明は、上面から見ると螺旋状になるようにシリコン基板21内に形成されたトレンチ22と、そのトレンチ22内に形成されたシリコン酸化膜23と、前記シリコン基板21及び前記シリコン酸化膜23の上面に形成された層間絶縁膜24と、その層間絶縁膜24の上面であって前記トレンチ22の上方に、上面から見ると螺旋状になるように形成されたアルミ配線26とを具備することを特徴とする。

Claim (excerpt)：

半導体基板上の所定の位置から所定の深さを有するトレンチと、前記トレンチ内に形成された第一の絶縁膜と、前記半導体基板及び前記第一の絶縁膜の上面に形成された第二の絶縁膜と、前記第二の絶縁膜の上面であって、上面から見ると前記トレンチと重なるように形成された金属配線とを具備することを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 27/04 , H01L 21/822

F-Term (10)：

5F038AR01 , 5F038AV06 , 5F038AZ05 , 5F038CA20 , 5F038CD13 , 5F038CD18 , 5F038DF05 , 5F038EZ12 , 5F038EZ15 , 5F038EZ20

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-341515 Applicant：日本電気株式会社
半導体記憶装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-099682 Applicant：株式会社豊田中央研究所
集積回路のための導電体
Gazette classification：公表公報 Application number：特願平9-542247 Applicant：テレフオンアクチーボラゲツトエルエムエリクソン

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