半導体装置およびその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：京本直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995341515
Publication number (International publication number)：1997181264
Application date： Dec. 27, 1995
Publication date： Jul. 11, 1997
Summary：

【要約】【課題】配線抵抗を低減することによりQの値を向上することができるスパイラル型インダクタ素子を具備する半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板の一主面上に形成されたスパイラル状の第1の導電膜パターン1と、層間絶縁膜102に設けられたコンタクトホール3を通して第1の導電膜パターン1とのみに電気的に接続されかつ第1の導電膜パターン1に重畳して延在する孤立状の第2の導電膜パターン2とを有してインダクタ素子を構成する。

Claim (excerpt)：

半導体基板の一主面上に形成されたスパイラル状の第1の導電膜パターンと、層間絶縁膜に設けられたコンタクトホールを通して前記第1の導電膜パターンに電気的に接続されかつ該第1の導電膜パターンに重畳して延在する孤立状の第2の導電膜パターンとを有して構成されたインダクタ素子を具備したことを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01F 17/00

FI (2)：

H01L 27/04 L , H01F 17/00 D

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

半導体集積回路装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-250885 Applicant：株式会社東芝
インダクタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-003801 Applicant：富士通株式会社
半導体集積回路装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-031729 Applicant：株式会社日立製作所

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