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J-GLOBAL ID：200903039593993492

シリコン窒化膜及びその形成方法並びに半導体装置

Inventor： 大見 忠弘 ,  関根 克行 ,  斉藤 祐司 ,  平山 昌樹 ,  新田 雄久
Applicant, Patent owner： 大見 忠弘 ,  株式会社ウルトラクリーンテクノロジー開発研究所
Agent (1)： 福森 久夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999134660
Publication number (International publication number)：2000150512
Application date： Apr. 06, 1999
Publication date： May. 30, 2000
Summary：

【要約】【課題】本発明は、膜中の電子またはホールトラップがない、均一膜厚の薄層シリコン窒化膜およびその形成方法を提供することを目的とする。【解決手段】本発明は、処理室に窒素ガスを含む混合ガス、またはアンモニアを含む混合ガスを導入し、該処理室内に載置されたシリコン基体表面を直接窒化して形成したシリコン窒化膜であって、Si-H結合および/またはN-H結合を有することを特徴とする。また、形成方法は、処理室に窒素ガス、不活性ガス、水素ガス、および/または不活性ガス、アンモニアガスを含むガスを導入して、プラズマを生起し、該処理室内に載置されたシリコン基体表面を直接窒化する事を特徴とする。

Claim (excerpt)：

処理室に窒素ガスを含む混合ガスを導入し、該処理室内に載置されたシリコン基体の表面を直接窒化して形成したシリコン窒化膜であって、Si-H結合および/またはN-H結合を有することを特徴とするシリコン窒化膜。

F-Term (9)：

5F058BA06 ,  5F058BA11 ,  5F058BC08 ,  5F058BF30 ,  5F058BF54 ,  5F058BF60 ,  5F058BF74 ,  5F058BJ01 ,  5F058BJ10

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭56-084462
  
• プラズマ処理装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-153357   Applicant：東京エレクトロン株式会社, 後藤尚久, 安藤真, 高田潤一, 堀池靖浩
• 特開平3-212938