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J-GLOBAL ID:200903039600707310
有機電子デバイス及びその作製方法
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
長谷川 曉司
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2002104639
Publication number (International publication number):2003304014
Application date: Apr. 08, 2002
Publication date: Oct. 24, 2003
Summary:
【要約】【課題】 高い移動度を有する有機電子デバイスを、容易なプロセスで作製する方法を提供する。【解決手段】 下記一般式(I)及び/又は(II)で表されるビシクロ化合物からエチレン誘導体を脱離させることにより下記一般式(Ia)及び/又は(IIa)で表される化合物を基板上に形成させる工程を含むことを特徴とする有機電子デバイスの作製方法。(式(I)、(II)、(Ia)及び(IIa)中、R1〜R8は水素原子又は1価の有機基を表し、R1〜R2は互いに結合して環を形成することはなく、また、Q1、Q2は2価の有機基、Q3、Q4は1価の有機基を表し、R3とR5、R4とR6、Q1とQ2及び/又はQ3とQ4はそれぞれ結合して環を形成していてもよい)
Claim (excerpt):
下記一般式(I)及び/又は(II)で表されるビシクロ化合物からエチレン誘導体を脱離させることにより下記一般式(Ia)及び/又は(IIa)で表される化合物を基板上に形成させる工程を含むことを特徴とする有機電子デバイスの作製方法。【化1】(式(I)、(II)、(Ia)及び(IIa)中、R1〜R8は水素原子又は1価の有機基を表し、R1〜R2は互いに結合して環を形成することはなく、また、Q1、Q2は2価の有機基、Q3、Q4は1価の有機基を表し、R3とR5、R4とR6、Q1とQ2及び/又はQ3とQ4はそれぞれ結合して環を形成していてもよい)
IPC (9):
H01L 51/00
, C07C 4/04
, C07C 13/47
, C07C 13/54
, C07C 13/62
, H01L 21/822
, H01L 27/04
, H01L 29/786
, H01L 29/861
FI (8):
C07C 4/04
, C07C 13/47
, C07C 13/54
, C07C 13/62
, H01L 29/28
, H01L 29/78 618 B
, H01L 27/04 C
, H01L 29/91 G
F-Term (59):
4H006AA02
, 4H006AC26
, 4H006BC10
, 5F038AC05
, 5F038AC15
, 5F038AC18
, 5F038AR07
, 5F038EZ03
, 5F038EZ20
, 5F110AA01
, 5F110BB01
, 5F110CC01
, 5F110CC03
, 5F110CC05
, 5F110CC07
, 5F110DD01
, 5F110DD02
, 5F110EE01
, 5F110EE02
, 5F110EE03
, 5F110EE04
, 5F110EE07
, 5F110EE41
, 5F110EE43
, 5F110EE44
, 5F110FF01
, 5F110FF02
, 5F110FF03
, 5F110FF21
, 5F110FF22
, 5F110FF27
, 5F110FF28
, 5F110GG05
, 5F110GG25
, 5F110GG32
, 5F110GG41
, 5F110GG42
, 5F110GG43
, 5F110GG51
, 5F110GG52
, 5F110GG55
, 5F110GG58
, 5F110HK01
, 5F110HK02
, 5F110HK03
, 5F110HK04
, 5F110HK07
, 5F110HK31
, 5F110HK32
, 5F110HK33
, 5F110NN02
, 5F110NN22
, 5F110NN23
, 5F110NN24
, 5F110NN27
, 5F110NN32
, 5F110NN33
, 5F110NN34
, 5F110QQ06
Article cited by the Patent: