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J-GLOBAL ID:200903039611998529

真空成膜装置用部品とそれを用いた真空成膜装置、およびターゲット装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 須山 佐一
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2000399263
Publication number (International publication number):2001247957
Application date: Dec. 27, 2000
Publication date: Sep. 14, 2001
Summary:
【要約】【課題】 真空成膜装置用部品やターゲット装置において、成膜工程中に付着する成膜材料からのダストの発生を大幅に抑制すると共に、付着した膜自体および溶射膜の剥離を安定かつ有効に防止する。【解決手段】 真空成膜装置用部品1は、部品本体2と、この部品本体2の表面に形成された溶射膜3とを具備する。溶射膜3は、局部山頂の平均間隔Sが50〜150μmの範囲、最大谷深さRvおよび最大山高さRpがそれぞれ20〜70μmの範囲の表面粗さを有する。溶射膜3は、さらにHv30(ビッカース硬さ)以下のAl系溶射膜、Hv100以下のCu系溶射膜、Hv200以下のNi系溶射膜、Hv300以下のTi系溶射膜、Hv300以下のMo系溶射膜、およびHv500以下のW系溶射膜から選ばれる低硬度被膜を有する。ターゲット装置は同様な溶射膜を有する。
Claim (excerpt):
真空成膜装置の構成部品であって、部品本体と、前記部品本体の表面に形成され、JIS B 0601-1994で規定する局部山頂の平均間隔Sが50〜150μmの範囲、最大谷深さRvおよび最大山高さRpがそれぞれ20〜70μmの範囲である表面粗さを有する溶射膜とを具備することを特徴とする真空成膜装置用部品。
IPC (8):
C23C 14/00 ,  C23C 4/08 ,  C23C 4/18 ,  C23C 14/34 ,  C23C 16/44 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/285
FI (9):
C23C 14/00 B ,  C23C 4/08 ,  C23C 4/18 ,  C23C 14/34 C ,  C23C 16/44 J ,  H01L 21/203 S ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/285 S ,  H01L 21/285 C
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (1)

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