磁気記録媒体および磁気記憶装置

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：伊東忠彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004061225
Publication number (International publication number)：2005222669
Application date： Mar. 04, 2004
Publication date： Aug. 18, 2005
Summary：

【課題】高S/N比と書き込まれたビットの優れた熱安定性を両立し高記録密度化を図る磁気記録媒体および磁気記憶装置を提供することである。【解決手段】基板21と、前記基板21上に、第1シード層22、第2シード層23、下地層24、非磁性中間層25、第1磁性層26、非磁性結合層28、第2磁性層29、保護層30、及び潤滑層31とが順次形成された構成とし、第1磁性層26と第2磁性層29とが非磁性結合層28を介して反強磁性的に交換結合された交換結合構造を有し、面内方向に配向した磁化は、外部磁界が印加されない状態で反平行方向に向いている。第1磁性層26及び第2磁性層29は互いに異なるキュリー温度等を有し、残留磁化の温度変化が互いに異なり、室温付近の温度での正味の残留面積磁化よりも、室温付近の温度よりも高い温度において正味の残留面積磁化が増加する構成とする。【選択図】図4

Claim (excerpt)：

第1の磁性層と、前記第1の磁性層上に形成された第2の磁性層とを備え、前記第1の磁性層と第2の磁性層は交換結合すると共に、外部磁界が印加されない状態で第1の磁性層の磁化と第2の磁性層の磁化が互いに反平行であり、前記第1の磁性層、第2の磁性層の各々の残留磁化をMr1、Mr2、各々の膜厚をt1、t2とすると、前記第1の磁性層及び第2の磁性層の正味の残留面積磁化は|Mr1×t1-Mr2×t2|と表され、第1の温度における前記正味の残留面積磁化が、第1の温度よりも低い第2の温度における該正味の残留面積磁化よりも大きい磁気記録媒体。

IPC (3)：

G11B5/66 , G11B5/02 , G11B11/10

FI (4)：

G11B5/66 , G11B5/02 T , G11B11/10 500 , G11B11/10 502Z

F-Term (9)：

5D006BB01 , 5D006BB02 , 5D006BB07 , 5D006BB08 , 5D006CA01 , 5D075AA03 , 5D075CC39 , 5D091CC05 , 5D091CC17

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

磁気記録媒体、磁気記憶装置、記録方法及び磁気記録媒体の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-107075 Applicant：富士通株式会社

Cited by examiner (7)

磁気記録媒体
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-236362 Applicant：富士通株式会社
磁気記録媒体、記録再生用ヘッド及び磁気記録再生方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-312178 Applicant：日立マクセル株式会社
磁気記録媒体および磁気記録装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-280781 Applicant：株式会社東芝

Show all

Return to Previous Page