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J-GLOBAL ID：200903039669772008

半導体装置の製造方法

Inventor： 宇佐美 光雄 ,  田勢 隆
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997201159
Publication number (International publication number)：1998095189
Application date： Jul. 25, 1994
Publication date： Apr. 14, 1998
Summary：

【要約】【目的】 信頼性が高くかつ低コストな半導体装置、特にICカードまたはマルチチップモジュールの製造方法を提供すること。【構成】 薄膜化したICチップを上下の基板で挟み込む。また、導電性ペースト201によって基板207のメタライズパターンとICチップのパッドを接続する。【効果】 薄膜化したICチップを基板で挟み込むことによりICチップへの応力が低減され、信頼性の高いICカードが作成できる。さらに導電性ペーストによって低コストのICカードを作製することが可能となる。

Claim (excerpt)：

配線が形成された下部基板を準備する工程と、裏面を除去することにより、厚さが110μm以下のICチップを準備する工程と、前記配線とICチップとを導電性接着剤で電気的に接続する工程と、前記ICチップを覆うように前記下部基板上に上部基板を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (7)：

B42D 15/10 521 ,  G06K 19/077 ,  H01L 23/12 ,  H01L 25/04 ,  H01L 25/18 ,  H01L 27/00 301 ,  H01L 27/12

FI (6)：

B42D 15/10 521 ,  H01L 27/00 301 B ,  H01L 27/12 B ,  G06K 19/00 K ,  H01L 23/12 F ,  H01L 25/04 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 薄型非接触ICカード
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-330574   Applicant：三菱樹脂株式会社