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J-GLOBAL ID:200903039677429614
デカヒドロナフタレン誘導体
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Agent (1):
高橋 勝利
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999029015
Publication number (International publication number):2000229896
Application date: Feb. 05, 1999
Publication date: Aug. 22, 2000
Summary:
【要約】【課題】 広いN相転移温度、小さい屈折率異方性、低電圧駆動や高速応答も可能なSTNあるいはTFT駆動用に好適な液晶材料である新規液晶性化合物を提供する。【解決手段】 一般式(I)【化1】(R:C原子数1〜18のアルキル基、L:CH2CH2、CH2O、OCF2他、Z:H原子、ハロゲン原子、F原子・アルコキシル基により置換可能なアルキル基、アルケニルオキシ基他)で表されるフェニルデカヒドロナフタレン誘導体。
Claim (excerpt):
一般式(I)【化1】(式中、Rは炭素原子数1〜18のアルキル基を表し、Lは-CH2CH2-、-CH(CH3)CH2-、-CH2CH(CH3)-、-CH2O-、-OCH2-、-CF2O-、-OCF2-、-O(CH2)3-、-(CH2)3O-、-(CH2)4-又は単結合を表し、Xa、Xb及びXcはそれぞれ独立的に水素原子又はフッ素原子を表し、Zは水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、シアナト基、水酸基、カルボキシル基又はフッ素原子若しくは炭素原子数1〜7のアルコキシル基により置換されていてもよい炭素原子数1〜12のアルキル基、アルコキシル基、アルケニル基、アルケニルオキシ基、アルカノイルオキシ基若しくはアルコキシカルボニル基を表す。また、デカヒドロナフタレン環はトランス形であり、その2,6-位はトランス配置である。)で表されるデカヒドロナフタレン誘導体。
IPC (4):
C07C 25/13
, C07C 25/18
, C09K 19/32
, G02F 1/13 500
FI (4):
C07C 25/13
, C07C 25/18
, C09K 19/32
, G02F 1/13 500
F-Term (31):
4H006AA01
, 4H006AA02
, 4H006AA03
, 4H006AB64
, 4H006AC11
, 4H006AC22
, 4H006AC28
, 4H006AC54
, 4H006BJ20
, 4H006BJ30
, 4H006BJ50
, 4H006BM30
, 4H006BM71
, 4H006FC22
, 4H006FC24
, 4H006FE73
, 4H006FE74
, 4H027BA01
, 4H027BB04
, 4H027BC05
, 4H027BD02
, 4H027BD04
, 4H027BD05
, 4H027BD07
, 4H027BD08
, 4H027CT04
, 4H027DM01
, 4H027DM02
, 4H027DM03
, 4H027DM04
, 4H027DM05
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (4)
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特開平3-027340
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特開昭57-130929
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フェニルデカヒドロナフタレン誘導体
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-026058
Applicant:大日本インキ化学工業株式会社
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フェニルデカヒドロナフタレン誘導体
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-179016
Applicant:大日本インキ化学工業株式会社
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Article cited by the Patent:
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