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J-GLOBAL ID:200903082578565509

フェニルデカヒドロナフタレン誘導体

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 高橋 勝利
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999179016
Publication number (International publication number):2000136155
Application date: Jun. 24, 1999
Publication date: May. 16, 2000
Summary:
【要約】【課題】 対応する2環性のシクロヘキサン誘導体と比較してネマチック液晶性に優れ、3環性のシクロヘキサン誘導体よりも応答性、相溶性に優れたフッ素系のフェニルデカヒドロナフタレン誘導体である液晶性化合物、さらにこれを用いて、広いネマチック相温度範囲と低電圧駆動性を有する液晶組成物、さらにアクティブマトリックス駆動用としても使用可能な液晶組成物を提供する。【解決手段】 一般式(I)【化1】(R:1個以上のF原子またはC数1〜7のアルコキシルに置換されていてもよいC数1〜18のアルキル、Xa、XbおよびXc:H原子、F原子、Z:H原子、ハロゲン原子、シアノ基等、但しRがアルキル基且つZが置換されていないアルキル基またはアルコキシル基あるいはシアノ基のときはXa、XbおよびXcのうち少なくとも1個はF原子。)のフェニルデカヒドロナフタレン誘導体。
Claim (excerpt):
一般式(I)【化1】(式中、Rは1個以上のフッ素原子または炭素原子数1〜7のアルコキシル基に置換されていてもよい炭素原子数1〜18のアルキル基を表し、Xa、XbおよびXcは水素原子またはフッ素原子を表し、Zは水素原子あるいはフッ素、塩素、臭素またはヨウ素のハロゲン原子あるいは1個以上のフッ素原子または炭素原子数1〜7のアルコキシル基により置換されていてもよい炭素原子数1〜12のアルキル基、アルコキシル基、アルケニル基、アルケニルオキシ基、アルカノイルオキシ基またはアルコキシカルボニル基あるいはシアノ基、シアナト基、水酸基またはカルボキシル基を表すが、ただしRがアルキル基且つZが置換されていないアルキル基またはアルコキシル基あるいはシアノ基のときはXa、XbおよびXcのうち少なくとも1個はフッ素原子を表し、デカヒドロナフタレン環はトランス形であり、その2,6-位はトランス配置である。)で表されるフェニルデカヒドロナフタレン誘導体。
IPC (5):
C07C 25/22 ,  C07C 43/225 ,  C07C255/50 ,  C09K 19/32 ,  G02F 1/13 500
FI (5):
C07C 25/22 ,  C07C 43/225 C ,  C07C255/50 ,  C09K 19/32 ,  G02F 1/13 500
F-Term (35):
4H006AA01 ,  4H006AA03 ,  4H006AB64 ,  4H006EA35 ,  4H006GP03 ,  4H027BA01 ,  4H027BB03 ,  4H027BB04 ,  4H027BC04 ,  4H027BD02 ,  4H027BD04 ,  4H027BD05 ,  4H027BD08 ,  4H027BD24 ,  4H027CB01 ,  4H027CB02 ,  4H027CC04 ,  4H027CD04 ,  4H027CL01 ,  4H027CL04 ,  4H027CM04 ,  4H027CN02 ,  4H027CP04 ,  4H027CQ01 ,  4H027CQ04 ,  4H027CR04 ,  4H027CT02 ,  4H027CT04 ,  4H027CW01 ,  4H027CW02 ,  4H027DE04 ,  4H027DM02 ,  4H027DM03 ,  4H027DM04 ,  4H027DM05
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (8)
  • 特開昭57-130929
  • 特開昭60-011453
  • 特開昭58-072528
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Article cited by the Patent:
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