強誘電性キャパシタの製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：八田幹雄 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996061414
Publication number (International publication number)：1996279599
Application date： Mar. 18, 1996
Publication date： Oct. 22, 1996
Summary：

【要約】【課題】 FRAMにメモリセルとして用いられる強誘電性キャパシタの製造方法を提供する。【解決手段】本発明の製造方法は、(a)第1導電性酸化物上に第1強誘電性物質よりなるゾルーゲル溶液を塗布して第1強誘電性膜を形成する段階と、(b)前記第1強誘電性膜をベーキングする段階と、(c)前記第1強誘電性膜をアニリングしてペロブスカイト構造のシードレーヤーを形成する段階と、(d)前記シードレーヤーの表面に第2強誘電性物質よりなるゾルーゲル溶液を塗布して第2強誘電性膜を形成する段階と、(e)前記第2強誘電性膜をベーキングする段階と、(f)前記第2強誘電性膜をアニリングしてペロブスカイト構造を有する強誘電性フィルムを形成する段階とを含む。

Claim (excerpt)：

(a)第1導電性酸化物上に第1強誘電性物質よりなるゾルーゲル溶液を塗布して第1強誘電性膜を形成する段階と、(b)前記第1強誘電性膜をベーキングする段階と、(c)前記第1強誘電性膜をアニリングしてペロブスカイト構造のシードレーヤーを形成する段階と、(d)前記シードレーヤーの表面に第2強誘電性物質よりなるゾルーゲル溶液を塗布して第2強誘電性膜を形成する段階と、(e)前記第2強誘電性膜をベーキングする段階と、(f)前記第2強誘電性膜をアニリングしてペロブスカイト構造を有する強誘電性フィルムを形成する段階とを含むことを特徴とする強誘電性キャパシタの製造方法。

IPC (5)：

H01L 27/105 , H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 27/108 , H01L 21/8242

FI (3)：

H01L 27/10 441 , H01L 27/04 C , H01L 27/10 651

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

電子デバイスおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-104146 Applicant：三菱電機株式会社
特開平3-069512
半導体装置を製造する方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-203645 Applicant：モトローラ・インコーポレイテッド

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