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J-GLOBAL ID：200903039706956645

抵抗変化素子およびそれを用いた不揮発性メモリ、ならびにこれらの製造方法

Inventor： 小田川 明弘 ,  杉田 康成 ,  菅野 勉 ,  酒井 章裕 ,  足立 秀明
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (3)： 岩橋 文雄 ,  坂口 智康 ,  内藤 浩樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004261921
Publication number (International publication number)：2006080259
Application date： Sep. 09, 2004
Publication date： Mar. 23, 2006
Summary：

【課題】 電気抵抗変化によって実現する抵抗変化素子およびそれを用いた不揮発性メモリを提供する。【解決手段】 本発明に係る抵抗変化素子は、下部電極11と、上部電極13と、上部電極13と下部電極11との間に配置されたスピネル構造を有する材料層12とを含んで構成され、下部電極11と上部電極13との間に電流あるいは電圧を印加することで抵抗が変化し、下部電極11の材料が、金属窒化物(好ましくは窒化チタン)である。このような抵抗変化素子は、代表的に不揮発性メモリに適用される。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

下部電極と、 上部電極と、 前記上部電極と前記下部電極との間に配置されたスピネル構造を有する材料層とを含んで構成され、 前記下部電極と前記上部電極との間に電流あるいは電圧を印加することで抵抗が変化し、 前記下部電極が、金属窒化物からなる、抵抗変化素子。

IPC (1)：

H01L 27/10

FI (1)：

H01L27/10 451

F-Term (13)：

5F083FZ10 ,  5F083GA29 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA60 ,  5F083PR04 ,  5F083PR22 ,  5F083PR23 ,  5F083PR40 ,  5F083ZA21

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• 米国特許第6204139号明細書
  
• 情報を保存するマイクロ電子デバイスとその方法
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2000-600308   Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
• 磁気抵抗素子およびそれを用いた磁気センサ、メモリー装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-292035   Applicant：松下電器産業株式会社