磁気抵抗素子およびそれを用いた磁気センサ、メモリー装置

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：岩橋文雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000292035
Publication number (International publication number)：2002111094
Application date： Sep. 26, 2000
Publication date： Apr. 12, 2002
Summary：

【要約】【課題】スピネル型磁性体を用いた磁気抵抗素子に関し、磁気抵抗効果が大きくかつ容易に製造可能な高効率のトンネル磁気抵抗素子を実現する。【解決手段】素子を、基体上に窒化チタニウム層を挟んで形成したスピネル型結晶構造の磁性層と、前記スピネル型磁性層に非磁性層を介して接合した他の磁性層とで構成し、両磁性層間を通過する電気抵抗を外部磁界により制御して検知する。窒化チタニウム層を挿入することにより良質のスピネル型磁性層が形成でき、優れた磁気抵抗素子を実現できるので、高スピン分極の複雑なスピネル型磁性体の場合にも作製が容易であり、高性能の磁気抵抗素子を安定に提供できる。これら磁気抵抗素子は高効率で安定に製造できるので、これを用いて高感度の磁気センサ・ヘッドや磁気抵抗効果型メモリー装置を構成することができる。

Claim (excerpt)：

基体上に窒化チタニウム層を挟んで形成したスピネル型結晶構造の磁性層と、前記スピネル型磁性層に非磁性層を介して接合した他の磁性層とから構成され、両磁性層間を通過する電気抵抗を外部磁界により制御してなる磁気抵抗素子。

IPC (8)：

H01L 43/08 , G01R 33/09 , G11B 5/39 , G11C 11/14 , G11C 11/15 , H01F 10/20 , H01F 10/28 , H01L 27/105

FI (8)：

H01L 43/08 Z , G11B 5/39 , G11C 11/14 A , G11C 11/15 , H01F 10/20 , H01F 10/28 , G01R 33/06 R , H01L 27/10 447

F-Term (20)：

2G017AA01 , 2G017AB07 , 2G017AD55 , 5D034BA03 , 5D034BA15 , 5D034BA16 , 5D034BA21 , 5E049AA09 , 5E049AB02 , 5E049AC00 , 5E049AC05 , 5E049BA16 , 5E049DB04 , 5E049DB14 , 5F083FZ10 , 5F083JA36 , 5F083JA37 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083JA40

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

磁気記憶装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-151368 Applicant：株式会社東芝
トンネル作用フェリ磁性磁気抵抗センサー
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-350925 Applicant：ヒューレット・パッカード・カンパニー

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