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J-GLOBAL ID：200903039734795363

ラジカル反応を用いた加工装置および加工方法

Inventor： 瀧野 日出雄 ,  伊藤 博 ,  森 勇藏
Applicant, Patent owner： 森 勇藏 ,  株式会社ニコン
Agent (1)： 三品 岩男 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995213568
Publication number (International publication number)：1997063791
Application date： Aug. 22, 1995
Publication date： Mar. 07, 1997
Summary：

【要約】【課題】ラジカル反応を用いた無歪加工装置であって、微細な加工に適した装置を提供する。【課題解決手段】被加工物10の表面に局部的なプラズマ902を形成し、局部的なプラズマ902に反応ガスを供給して、反応ガスに含まれる物質のラジカルを形成し、ラジカルと被加工物10との反応させ、生じた生成物を揮発させることにより、被加工物10を加工する。このとき、反応ガスを局部的なプラズマの周囲から均等に供給し、局部的なプラズマの内部で、未反応のラジカルを吸引する。

Claim (excerpt)：

被加工物を搭載するためのワークテーブルと、前記被加工物の表面に局部的なプラズマを生成するための電極と、前記電極を前記被加工物に対して相対的に移動させるための移動手段と、前記局部的なプラズマに反応ガスを供給するためのガス供給手段と、ガスを排出するためのガス排出手段とを有し、前記ガス供給手段は、前記プラズマが生成されている空間の周囲の空間に、均一に反応ガスを満たし、前記ガス排出手段は、ガスを吸引するための吸入口を有し、前記吸入口は、前記局部的なプラズマが生成されている空間の内部に位置するように配置されていることを特徴とする加工装置。

IPC (4)：

H05H 1/46 ,  C03C 23/00 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/3065

FI (4)：

H05H 1/46 A ,  C03C 23/00 Z ,  C23F 4/00 A ,  H01L 21/302 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開平4-246184
  
• エッチング装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-303596   Applicant：株式会社東芝, 東芝電子エンジニアリング株式会社