Pat

J-GLOBAL ID：200903039824815460

半導体素子の製造方法

Inventor： 村田 和哉
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 宮園 博一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004090042
Publication number (International publication number)：2005277208
Application date： Mar. 25, 2004
Publication date： Oct. 06, 2005
Summary：

【課題】プロセスを複雑化させることなく、シリコン半導体の光閉じ込め効果を向上させることが可能な半導体素子の製造方法を提供する。【解決手段】この半導体素子の製造方法は、フッ化水素を含有する電解液に、銀を溶解させる工程と、銀が溶解された電解液に、n型単結晶シリコン基板1を接触させることにより、通電を行うことなく、n型単結晶シリコン基板1の表面に凹凸形状1aを形成する工程とを備えている。【選択図】図10

Claim (excerpt)：

フッ化物を含有する電解液に、銀、銅、白金、銀化合物、銅化合物および白金化合物からなるグループより選択される少なくとも1つの金属材料を溶解させる工程と、 前記金属材料が溶解された電解液に、シリコン半導体を接触させることにより、通電を行うことなく、前記シリコン半導体の表面に凹凸形状を形成する工程とを備えた、半導体素子の製造方法。

IPC (2)：

H01L21/308 ,  H01L31/04

FI (2)：

H01L21/308 B ,  H01L31/04 A

F-Term (13)：

5F043AA02 ,  5F043BB02 ,  5F043FF10 ,  5F043GG10 ,  5F051AA02 ,  5F051AA05 ,  5F051CB21 ,  5F051CB29 ,  5F051CB30 ,  5F051DA04 ,  5F051DA20 ,  5F051GA04 ,  5F051GA15

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 太陽電池及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-026491   Applicant：株式会社荏原製作所

Cited by examiner (2)

• 多孔質層付きシリコン基板を製造する方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-419064   Applicant：関西ティー・エル・オー株式会社
• 太陽電池及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-026491   Applicant：株式会社荏原製作所