Pat
J-GLOBAL ID：200903091261980968
多孔質層付きシリコン基板を製造する方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
矢野 正行
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003419064
Publication number (International publication number)：2005183505
Application date： Dec. 17, 2003
Publication date： Jul. 07, 2005
Summary：
【課題】有害ガスを副生することなく、多孔質層を安価に形成することのできる、量産性に富んだ太陽電池製造方法を提供する。【解決手段】銀イオンを含有する、過酸化水素などの酸化剤とフッ化水素酸の混合水溶液に、多結晶シリコン基板を浸すことにより、基板の表面に多孔質シリコン層を形成することを特徴とし、場合により更にアルカリ処理をして上方の多孔質層を除去することによりテクスチャー構造を形成することを特徴とする。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
金属イオンを含有する、酸化剤とフッ化水素酸の混合水溶液に、シリコン基板を浸すことにより、基板の表面に多孔質シリコン層を形成することを特徴とする多孔質層付きシリコン基板の製造方法。
IPC (2)：
FI (2)：
H01L21/306 B
, H01L31/04 H
5F043AA02
, 5F043BB02
, 5F043FF10
, 5F051AA03
, 5F051CB21
, 5F051GA15
Cited by applicant (5)
-
太陽電池およびその製造方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平7-303003
Applicant：シャープ株式会社
-
太陽電池素子の製造方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平8-041617
Applicant：京セラ株式会社
-
多結晶性シリコンを含む太陽電池およびP-型多結晶性シリコンの表面の組織化方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平8-302004
Applicant：フオトワツト・アンテルナシヨナル・エス・アー
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Cited by examiner (1)
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