自己整合シリサイド工程

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：浅村皓 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994096365
Publication number (International publication number)：1995074128
Application date： May. 10, 1994
Publication date： Mar. 17, 1995
Summary：

【要約】【目的】ソース/ドレイン接合領域の上およびゲート領域の上に、厚さの異なるシリサイドを作成することができる、自己整合シリサイド工程の方法と装置を提供する。【構成】半導体材料体が、基板の中に不純物が添加されたウエルを有し、この不純物が添加されたウエルの中のチヤンネル停止領域の上に、フィールド絶縁体領域が配置される。この不純物が添加されたウエルの中に、ソース/ドレイン接合が注入される。ソース/ドレイン接合の表面がシリサイド化される。シリサイド・ゲートは、ゲート絶縁体層により、不純物が添加されたウエルの表面から分離される。シリサイド・ゲートは、シリサイド層および不純物が添加されたポリシリコン層を有する。窒化シリコン側壁スペーサは、シリサイド・ゲートの側壁端部およびトランジスタ・チヤンネル領域を、ソース/ドレイン接合シリサイド層から分離する。

Claim (excerpt)：

(イ)ソース/ドレイン領域の上に薄い窒化物層を作成する段階と、(ロ)前記薄い窒化物層とゲート領域との上に耐火性の金属の層を沈着する段階と、(ハ)第1厚さが第2厚さより大きいとして、前記ゲート領域の上に第1厚さの第1シリサイド層を形成するために、かつ、前記ソース/ドレイン領域の上に第2厚さを有する第2シリサイド層を形成するために、耐火性金属の前記層を焼き鈍す段階と、を有する、ソース/ドレイン接合領域とゲート領域との上に異なる厚さのシリサイドを作成する自己整合シリサイド工程方法。

IPC (3)：

H01L 21/28 301 , H01L 29/78 , H01L 21/336

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

特開昭61-190984
特開昭61-190984
特開昭62-066679

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