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J-GLOBAL ID：200903039936517870

交換結合膜と前記交換結合膜を用いた磁気検出素子

Inventor：
長谷川 直也

About 長谷川 直也


Applicant, Patent owner：
アルプス電気株式会社

About アルプス電気株式会社


Agent (1)： 野▲崎▼ 照夫 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002100795
Publication number (International publication number)：2003110169
Application date： Apr. 03, 2002
Publication date： Apr. 11, 2003
Summary：
【要約】【目的】 従来では、積層フェリ構造の固定磁性層において、反強磁性層との界面と接する側の第1の磁性層には、CoFe合金の単層などを使用していたが、前記固定磁性層の一方向性交換バイアス磁界(Hex*)と、抵抗変化率(ΔR/R)の双方を同時に向上させることはできなかった。【構成】 第1の磁性層13には、元素X(例えばCr)を含有する領域Aが、反強磁性層4との界面4aから非磁性中間層12側にかけて存在するととともに、前記非磁性中間層12との界面12aから前記反強磁性層4側にかけての領域の一部に、前記元素Xを含まない領域Bが存在する。これによって固定磁性層3の一方向性交換バイアス磁界(Hex*)と抵抗変化率(ΔR/R)とを同時に向上させることができる。
Claim (excerpt)：
反強磁性層と強磁性層とが積層形成され、前記反強磁性層と強磁性層との界面で交換結合磁界が発生することで、前記強磁性層の磁化方向が一定方向にされる交換結合膜において、前記強磁性層は、前記反強磁性層との界面と接して形成される第1の磁性層と、前記第1の磁性層と非磁性中間層を介して対向する第2の磁性層とを有して形成された積層フェリ構造であり、前記第1の磁性層には、元素X(ただし元素Xは、Cr、Ti、V、Zr、Nb、Mo、Hf、Ta、Wのうち少なくとも1種以上の元素)を含有する領域が、前記反強磁性層との界面から前記非磁性中間層側にかけて存在するととともに、前記非磁性中間層との界面から前記反強磁性層側にかけての領域の一部に、前記元素Xを含まない領域が存在することを特徴とする交換結合膜。
IPC (4)：
H01L 43/08 ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/16 ,  H01F 10/32
FI (5)：
H01L 43/08 Z ,  H01L 43/08 B ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/16 ,  H01F 10/32
F-Term (7)：
5D034BA03 ,  5D034BA04 ,  5D034CA08 ,  5E049AA01 ,  5E049AA04 ,  5E049BA12 ,  5E049DB11
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
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